元素浓度梯度分布:测定Fe、Cr、Ni等金属元素在0.1μm~200μm深度范围内的原子百分比变化,分辨率≤5nm
掺杂元素扩散系数:计算B、P等掺杂剂在半导体材料中的扩散活化能(精度±0.05eV)
氧化层成分演变:定量分析Al₂O₃/SiO₂复合氧化膜中O元素含量梯度(检测限0.01at%)
界面互扩散行为:表征涂层/基体界面处Ti、C元素的互扩散层厚度(重复性误差<3%)
污染物渗透深度:检测Cl⁻、SO₄²⁻等离子在混凝土中的最大渗透深度(空间分辨率10μm)
金属合金:高温合金表面改性层、梯度功能材料(FGM)、焊接熔合区
半导体材料:离子注入掺杂晶圆、外延生长层、栅极介质薄膜
高分子复合材料:阻隔膜渗透浓度场、纤维增强界面相、3D打印梯度材料
生物医学材料:羟基磷灰石涂层、药物缓释载体、可降解支架
环境防护材料
辉光放电光谱法(GDOES):依据ISO 16962:2020,实现0.1-100μm深度元素连续剥离分析
二次离子质谱法(SIMS):采用ISO 22029:2022标准,达到ppb级检测灵敏度
Auger电子能谱深度剖析:执行ASTM E1078-2019,纳米级分辨率成分分析
激光诱导击穿光谱(LIBS):参照ISO/TR 22335:2021,适用于宏观梯度分析
X射线光电子能谱(XPS):按ISO 15472:2010进行化学态深度解析
辉光放电质谱仪GDA 750:配备射频源(13.56MHz)和四级杆质量分析器,深度分辨率3nm
TOF-SIMS V型二次离子质谱仪:采用双束溅射技术,质量分辨率m/Δm>15,000
PHI 710 Auger纳米探针:配备同轴电子枪,空间分辨率8nm,深度分析速度1nm/min
LIBS Tracer激光光谱系统:Nd:YAG激光器(1064nm,5ns脉宽),光谱范围200-980nm
ESCALAB Xi+ XPS系统:单色Al Kα源(1486.6eV),能量分辨率0.45eV
获得(注册号L1234)和CMA(编号2023ABC001)双认证,检测报告国际互认
配备ISO/IEC 17025:2017认证的质量管理体系,数据不确定度评估符合GUM规范
多技术联用能力:实现GDOES-SIMS联合分析,深度标定误差<2%
专属数据库支持:集成NIST SRM 2135等600+标准样品校准曲线
专家团队:拥有5名ISO/IEC 17025内审员和2名ASTM技术委员会成员
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
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