主成分分析:Ga含量(≥23.5%)、K含量(≥9.8%)、SO₄²⁻占比(≥49.2%)
纯度检测:杂质元素(Fe、Cu、Zn)限值≤50ppm
晶型结构:XRD特征峰匹配度(JCPDS 24-1043)
热稳定性:TG-DSC分析失重台阶(200℃前总失重≤15%)
粒度分布:D50粒径范围(5-20μm,跨度系数<1.2)
电子材料:半导体衬底镀层材料
催化剂:合成气转化反应催化剂前驱体
陶瓷工业:介电陶瓷添加剂
光学材料:红外窗口镀膜材料
实验室试剂:高纯晶体标准物质
化学成分分析:GB/T 223.5-2008(ICP-AES法)、ASTM E1479-16(ICP-OES法)
晶体结构表征:ISO 20203:2018(X射线衍射定量相分析)、GB/T 23413-2009
热分析测试:ISO 11358-1:2022(TGA/DSC联用技术)
粒度测定:GB/T 19077-2016(激光衍射法)、ASTM B822-20
杂质检测:GB/T 12689.12-2021(原子吸收光谱法)
X射线衍射仪:Rigaku SmartLab,θ-2θ扫描,Cu-Kα辐射(λ=1.5406Å)
热重分析仪:NETZSCH STA 449 F5,温度范围RT-1600℃,升温速率0.1-50℃/min
电感耦合等离子体光谱仪:PerkinElmer Avio 550,检测限0.01ppm
激光粒度仪:Malvern Mastersizer 3000,测量范围0.01-3500μm
扫描电子显微镜:Hitachi SU8010,分辨率1.0nm@15kV
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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