芯片疲劳寿命检测

检测范围

功率半导体芯片、存储芯片、逻辑控制芯片、射频芯片、模拟芯片、光电耦合芯片、传感器芯片、微机电系统芯片、系统级封装芯片、倒装焊芯片、引线键合芯片、硅基芯片、碳化硅芯片、氮化镓芯片、绝缘栅双极型芯片、场效应管芯片

检测项目

温度循环疲劳寿命、热冲击疲劳寿命、电迁移寿命、焊点热疲劳寿命、引线键合疲劳寿命、机械振动疲劳寿命、功率循环疲劳寿命、通断电循环寿命、湿度循环疲劳寿命、高加速寿命、早期失效率、中位寿命、激活能测定、寿命分布参数估计、失效模式分析

检测仪器(部分)：

温度循环试验箱，热冲击试验箱，高温老化试验箱，功率循环测试台，振动试验台，电迁移测试系统，显微镜，扫描声学显微镜，键合拉力测试仪，红外热成像仪

检测方法(部分)：

温度循环疲劳法：将芯片试样置于温度循环试验箱中，按规定的上下限温度和驻留时间进行循环，定期检测电性能参数，记录失效时的循环次数，确定温度循环疲劳寿命。

功率循环疲劳法：对芯片施加周期性的通电加热和断电冷却循环，使芯片内部产生热应力，持续循环至焊点或互连结构出现失效，记录功率循环次数作为疲劳寿命数据。

电迁移寿命测试法：在恒定高温和大电流密度条件下对芯片互连结构施加电流应力，监测互连线电阻变化直至开路失效，利用对数正态分布模型推算额定条件下的电迁移寿命。

振动疲劳法：将封装后的芯片固定在振动试验台上，施加规定频率范围和加速度的随机振动或正弦振动载荷，持续至芯片出现机械或电性能失效，评估机械疲劳寿命。

高加速寿命测试法：在远超正常工作应力的温度、电压或电流条件下对芯片进行加速老化，通过阿伦尼乌斯模型等外推方法预测正常使用条件下的疲劳寿命。

参考标准

GB/T 4937-2023 半导体器件 机械和气候试验方法

GB/T 3505-2023 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则

JESD22-A104E 温度循环试验

JESD22-A106B 热冲击试验

IEC 60068-2-14:2009 环境试验 第2-14部分：试验 试验N：温度变化

MIL-STD-883K 微电子器件试验方法标准

GB/T 2423.10-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fc：振动正弦

JESD22-A117B 电迁移试验

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于芯片疲劳寿命检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、JianCe、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

上一篇：钛检漏检测
下一篇：织带泄漏检测

本文地址：https://www.beijianceshi.com/bjcs-info/37927.html