检测项目1.线宽均匀性(CDUniformity):测量特征尺寸在3σ≤1.5nm范围内的波动值2.套刻精度(OverlayAccuracy):XY方向偏移量≤2.0nm(3σ)3.缺陷密度(DefDensity):每平方厘米≤0.05个致命缺陷4.边缘粗糙度(LER/LWR):线边缘粗糙度≤0.8nmRMS5.膜厚均匀性(ThicknessUniformity):300nm光刻胶膜厚波动≤1.5%检测范围1.半导体晶圆:12英寸硅片/碳化硅衬底2.光掩模版:石英基板铬膜图形(≤7nm节点)3.光刻