光刻检测

检测项目

1.线宽均匀性(CDUniformity)：测量特征尺寸在3σ≤1.5nm范围内的波动值
2.套刻精度(OverlayAccuracy)：XY方向偏移量≤2.0nm(3σ)
3.缺陷密度(DefectDensity)：每平方厘米≤0.05个致命缺陷
4.边缘粗糙度(LER/LWR)：线边缘粗糙度≤0.8nmRMS
5.膜厚均匀性(ThicknessUniformity)：300nm光刻胶膜厚波动≤1.5%

检测范围

1.半导体晶圆：12英寸硅片/碳化硅衬底
2.光掩模版：石英基板铬膜图形(≤7nm节点)
3.光刻胶材料：ArF/KrF/EUV专用化学增幅胶
4.三维封装结构：TSV通孔与RDL重布线层
5.MEMS器件：微机械结构侧壁垂直度≥89

检测方法

1.ASTMF533-15：晶圆几何尺寸测量规范
2.ISO14644-1:2015：洁净室环境颗粒控制标准
3.GB/T30270-2013：集成电路光刻缺陷检测方法
4.SEMIP35-1108：掩模版缺陷分类标准
5.ISO21222:2020：扫描电镜计量校准规范

检测设备

1.KLA-TencorPWG5：光学量测系统(CD/OVL测量)
2.HitachiCG6300：临界尺寸扫描电镜(CD-SEM)
3.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜(三维形貌分析)
4.NikonMX350：激光干涉测量系统(套刻误差检测)
5.ZeissAxioCSM700：共聚焦显微镜(缺陷定位)
6.AppliedMaterialsVeritySEM4i：电子束缺陷复查系统
7.NovaMARS3：膜厚测量仪(光谱反射法)
8.ThermoFisherFS7000：聚焦离子束系统(截面分析)
9.OntoInnovationDragonflyG3：暗场光学检测系统
10.HamamatsuPhotonicsC13340：时间分辨荧光分析仪

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于光刻检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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