掺杂浓度分布:检测范围1E14~5E17 atoms/cm³,纵向分辨率达10nm,横向扫描步长5μm
晶体缺陷密度:检测位错密度≤500/cm²,堆垛层错率<0.1%,检测精度±5%
表面粗糙度:Ra≤0.2nm(1×1μm扫描区域),符合ISO 25178标准
电阻率均匀性:直径300mm晶圆片内不均匀性<±3%(@25℃)
氧含量测定:检测下限5E15 atoms/cm³,ASTM F121标准方法
半导体级单晶硅:包括CZ法/FZ法生长晶体,适用直径200-450mm晶锭
砷化镓外延片:MBE/MOCVD工艺制备,厚度检测范围0.5-50μm
碳化硅衬底:4H/6H多型体检测,微管密度≤5/cm²
磷化铟基片:载流子浓度1E16~5E18 cm⁻³,迁移率>3000 cm²/(V·s)
氮化镓模板:位错密度≤1E8 cm⁻²,弯曲度<50μm
四探针电阻率测试:ASTM F84-20标准,四点共线探针配置,测试电流1-100mA可调
二次离子质谱(SIMS):ISO 17560:2014深度剖析,检出限达1E13 atoms/cm³
X射线衍射(XRD):ISO 22278:2020双晶衍射法,角度分辨率0.0001°
扫描电子显微镜(SEM):ASTM E986-04表面形貌分析,分辨率3nm@15kV
光致发光谱(PL):IEC 62969-2:2018低温(10K)检测,光谱分辨率0.1meV
Kelvin Probe CV测试系统:Keysight B1505A,电容-电压特性测量,频率范围1kHz-5MHz
高分辨XRD系统:Bruker D8 DISCOVER,配备Ge(220)四晶单色器,2θ重复性±0.0001°
低温强磁场PL系统:Attocube DRYSTATION 100,温度范围4K-300K,磁场强度±9T
全自动探针台:Cascade Summit 12000B,支持300mm晶圆,定位精度±0.5μm
原子力显微镜:Bruker Dimension Icon,峰值力轻敲模式,Z轴分辨率0.1nm
认可实验室(注册号L1234),通过ISO/IEC 17025:2017体系认证
持有SEMI S2/S8设备安全认证,洁净室等级Class 100(ISO 14644-1)
参与制定GB/T 32281-2015《半导体材料电阻率测试方法》等6项国家标准
配备NIST可溯源标准样品,确保测量系统偏差<1.5%
跨尺度检测能力覆盖纳米级缺陷(TEM)至300mm全晶圆面扫描(自动分选仪)
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