杂质含量分析:检测限≤0.1ppm,涵盖B、C、O等13种轻元素
晶粒尺寸测定:测量范围0.1-500μm,精度±0.05μm
残余应力分布:XRD法测量深度达50μm,空间分辨率10μm
元素分布均匀性:面扫描分析,检测面积≥100mm²,步长0.5μm
表面缺陷检测:可识别≥0.5μm的裂纹、孔洞等缺陷
高纯单晶硅:纯度≥99.9999%,用于半导体晶圆制造
核级锆合金:Hf含量≤100ppm,满足核反应堆包壳要求
航空航天钛合金:氧含量≤1500ppm,符合AMS4928标准
电子级多晶钨:钾掺杂量5-100ppm,用于显示器件靶材
超导铌材料:RRR值≥300,满足粒子加速器腔体标准
辉光放电质谱法(GDMS):ASTM E1508,检测深度0.1-10μm
电子背散射衍射(EBSD):ISO 21466,取向精度±0.5°
同步辐射X射线荧光(SR-XRF):ISO 21270,检测限达ppb级
二次离子质谱(SIMS):ASTM E1504,深度分辨率1nm
激光诱导击穿光谱(LIBS):ISO 22958,空间分辨率10μm
Thermo Scientific ELEMENT GDMS:全元素分析,质量分辨率>10,000
ZEISS Sigma 500 SEM-EBSD:配备Oxford Symmetry探测器,最大倾角70°
Bruker D8 ADVANCE XRD:Cu靶光源,2θ范围3-160°,精度0.0001°
Cameca IMS 7f SIMS:双聚焦质谱仪,质量范围1-300amu
PerkinElmer NexION 300Q ICP-MS:四极杆系统,检测速度>25000cps/ppm
持有( L1234)和CMA(202300567)双认证资质
配备Class 100洁净实验室,温控精度±0.5℃
检测团队包含3名ISO/IEC 17025评审员
参与制修订GB/T 26042-2023等6项国家标准
设备年校准周期≤12个月,数据溯源性完整
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