齐纳击穿检测

检测项目

击穿电压(V_BR)：测量范围0.1-3000V，精度±0.5%

反向漏电流(I_R)：检测阈值1nA-10mA，分辨率0.1pA

温度特性系数：-55℃至+175℃温控条件下击穿电压漂移量

动态阻抗(Z_zt)：频率范围1kHz-1MHz，阻抗测量误差≤3%

脉冲耐受能力：重复脉冲宽度100ns-10ms，峰值电流10A-1000A

检测范围

硅基齐纳二极管：包括平面型/台面型结构器件

碳化硅(SiC)功率器件：阻断电压等级600V-10kV

集成电路保护模块：ESD防护器件、TVS瞬态抑制二极管

光电子器件：PIN光电二极管、雪崩光电二极管

宽禁带半导体：GaN基HEMT器件的反向击穿特性

检测方法

ASTM F617-19：半导体器件稳态反向击穿电压测试方法

IEC 60747-5：分立器件电特性测试规范

JESD22-A108F：电子器件加速寿命试验标准

GB/T 4587-94：半导体器件反向击穿电压测试方法

GB/T 17573-2021：半导体器件基本额定值和特性

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持10μV-3kV/1fA-1000A量程

Tektronix PA3000高压差分探头：带宽200MHz，耐压7.5kV

Chroma 19053高低温测试箱：温控范围-70℃至+300℃

Agilent 4294A精密阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz

Thermo Scientific CX400脉冲发生器：上升时间＜5ns，最大输出电压4kV

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于齐纳击穿检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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