反向击穿电压(VBR):测试范围0-5000V,精度±0.5%
漏电流(IR):测量范围1nA-10mA,分辨率0.1pA
热阻(Rth):温度梯度测试范围25-200°C,误差±0.3°C
结温耐受性(Tj):循环测试-65°C至+175°C,1000次循环
动态响应时间:上升/下降时间测量范围1ns-100μs,抖动误差±2%
硅基热载流子二极管(Si-HCD)
碳化硅高温器件(SiC-HCD)
氮化镓高频器件(GaN-HCD)
砷化镓微波器件(GaAs-HCD)
锗基光电二极管(Ge-HCD)
ASTM F1706:半导体器件热特性测试标准
ISO 16825:电子元件反向击穿电压测量规范
GB/T 4937:半导体器件机械和气候试验方法
IEC 60749-25:半导体器件动态参数测试标准
MIL-STD-750:军用电子器件可靠性试验方法
Keysight B1505A功率器件分析仪:支持10kV/1500A测试,集成SMU模块
Tektronix DMM6500 6½数字万用表:分辨率0.1pA,支持温度补偿功能
Thermo Scientific ThermoScan XR热成像仪:热灵敏度50mK@30Hz
Chroma 19054动态响应测试系统:带宽2GHz,最小采样间隔100ps
ESPEC PCT-322气候试验箱:温变速率15°C/min,湿度范围20-98%RH
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
1、拥有完善的检测服务体系,科学、严谨、认证。
2、我院对已出过的报告负责。
3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。
4、检测服务领域广,可参考标准多(国标、企标、通标、工标、国际标准等)。
5、周期短,费用低,方案全。
6、支持定制化试验方案,数据更加科学准确。
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8、资质全,团队强,后期服务体系完善
1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。
1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
4、试验测试完成,出具检测测试报告;
5、委托完成,我方提供售后服务。