沟道电流检测

检测项目

阈值电压(Vth)测量：范围±20V@25℃，精度±0.1mV

漏电流(Ioff)测试：1nA-100μA@Vds=1.1Vnom

亚阈值摆幅(SS)分析：60-120mV/dec@Vgs扫描步长10mV

栅极泄漏电流(Ig)监测：≤1pA/μm@Vgs=2×Vdd

温度依赖性测试：-55℃至150℃温控±0.5℃

检测范围

硅基CMOS器件(28nm-180nm制程节点)

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管

三维FinFET结构器件

有机薄膜晶体管(OTFT)

二维材料器件(MoS2/WSe2基晶体管)

检测方法

ASTM F1248-16：栅极氧化物完整性测试规范

ISO 16700:2019：微束分析-场发射扫描电镜操作规程

GB/T 17573-2021：半导体器件分立器件和集成电路第1部分总则

GB 4937-2023：半导体器件机械和气候试验方法

JEDEC JESD22-A114F：静电放电敏感度测试

检测设备

Keysight B1500A半导体器件分析仪：支持10fA分辨率I-V/C-V测试

Cascade Summit 12000探针台：配备真空吸附温控模块(-70℃~300℃)

Keithley 4200A-SCS参数分析系统：集成脉冲IV模块(100ns脉宽)

Agilent 4156C精密源表：支持4象限电压源输出(±100V/±100mA)

Tektronix DMM7510高阻计：7½位数显分辨率(10MΩ~10PΩ量程)

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于沟道电流检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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