1.正向压降(VF):测试电流1mA-1A范围内压降值,典型阈值0.2V-1.5V
2.反向击穿电压(VRRM):施加反向电压至10kV(高压二极管),漏电流≤10μA
3.结温特性(Tj):工作温度范围-55℃~+175℃,温漂系数≤2mV/℃
4.动态响应时间:反向恢复时间trr≤50ns(快恢复二极管),开关频率≥1MHz
5.热阻(RθJA):功率循环测试下结到环境热阻≤100℃/W
1.硅基整流二极管:1N400x系列/1N540x系列工业级器件
2.锗材料检波二极管:AA119/1N34A等高频应用器件
3.肖特基二极管:MBR系列低压降功率器件
4.TVS保护二极管:SMAJ系列瞬态电压抑制器
5.发光二极管:可见光LED与红外LED器件
1.正向压降测试:依据GB/T6571-2016《半导体器件分立器件第2部分》第4.3条款
2.反向特性测试:采用IEC60747-1:2006中第5章静态特性测量法
3.热阻测试:参照JESD51-14瞬态热测试标准
4.ESD抗扰度:执行ISO10605:2008车载电子放电标准
5.寿命试验:遵循GJB548B-2005方法1015高温反偏试验
1.KeysightB1505A功率器件分析仪:支持3000V/1500A参数测试
2.TektronixDMM6500六位半数字万用表:基本DC精度±0.002%
3.Chroma17011可编程直流电源:输出0-600V/0-12A
4.ThermonicsT-2600C温控试验箱:温度范围-70℃~+180℃
5.ESPECEHS-211M高加速寿命试验箱:复合应力可靠性测试
6.Agilent4156C精密半导体参数分析仪:100fA分辨率电流测量
7.HIOKIPW3390功率分析仪:带宽5MHz,基本精度±0.06%
8.FlukeTi450红外热像仪:热灵敏度≤0.03℃@30℃
9.OMRONZS-L系列激光位移计:分辨率0.01μm封装形变检测
10.ThermoScientificTHMS600热机械分析仪:CTE测量精度±0.1ppm/℃
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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4、检测服务领域广,可参考标准多(国标、企标、通标、工标、国际标准等)。
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6、支持定制化试验方案,数据更加科学准确。
7、全国上门取样/现场见证试验。
8、资质全,团队强,后期服务体系完善
1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。
1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
4、试验测试完成,出具检测测试报告;
5、委托完成,我方提供售后服务。