1.载流子浓度:采用霍尔效应测试仪测量(1e14-1e18cm⁻)
2.禁带宽度:紫外-可见分光光度法测定(0.7-6.2eV)
3.迁移率:变温霍尔测试系统分析(50-2000cm/(Vs))
4.缺陷密度:深能级瞬态谱仪检测(≤1e12cm⁻)
5.热导率:激光闪射法测量(20-2000W/(mK))
1.GaN基功率半导体晶圆(直径≤200mm)
2.SiC外延片(4H/6H晶型)
3.ZnO透明导电薄膜(厚度50-500nm)
4.金刚石薄膜半导体材料(晶粒尺寸≤10μm)
5.GaAs基微波器件芯片(工作频率≤100GHz)
1.ASTMF76:霍尔效应参数标准测试规程
2.ISO14887:紫外-可见吸收光谱法测定禁带宽度
3.GB/T15519:半导体材料电阻率测试规范
4.ASTME1461:激光闪射法热扩散系数测定
5.GB/T13301:X射线衍射法定量分析晶体结构
1.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统(载流子浓度/迁移率)
2.PerkinElmerLambda950紫外-可见分光光度计(禁带宽度分析)
3.HitachiSU5000场发射扫描电镜(表面形貌/缺陷观测)
4.BrukerD8AdvanceX射线衍射仪(晶体结构表征)
5.NetzschLFA467HyperFlash激光导热仪(热导率测试)
6.KeysightB1500A半导体参数分析仪(I-V/C-V特性测试)
7.OxfordInstrumentsMicroSenseCVMap电容电压测试系统
8.ThermoScientificNicoletiS50傅里叶红外光谱仪(杂质分析)
9.Agilent4294A精密阻抗分析仪(介电性能测试)
10.VeecoDimensionIcon原子力显微镜(纳米级表面粗糙度测量
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
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4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。
1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
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