超晶格线检测

检测项目

1.晶格常数匹配度：通过XRD测量Δa/a值(精度0.0001nm)，分析异质结界面应力分布

2.界面粗糙度：采用AFM扫描测定Ra值(分辨率0.1nm)，评估层间生长质量

3.载流子迁移率：霍尔效应测试(温度范围4-300K)，测量电子迁移率(μ≥5000cm/Vs)

4.能带偏移量：光致发光谱分析(波长精度0.02nm)，计算导带偏移ΔEc(误差≤5meV)

5.缺陷密度：阴极荧光成像(CL分辨率10nm)，统计位错密度(目标值＜10⁶cm⁻)

检测范围

1.III-V族半导体异质结：GaAs/AlGaAs、InP/InGaAs等分子束外延材料

2.二维过渡金属硫化物：WS₂/MoS₂垂直异质结构

3.氧化物超晶格：SrTiO₃/LaAlO₃界面二维电子气体系

4.拓扑绝缘体异质结：Bi₂Se₃/(Bi,Sb)₂Te₃量子阱结构

5.硅基锗锡合金：GeSn/SiGe应变超晶格光电器件

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME1426-14(2021)规定ω-2θ扫描测定超晶格卫星峰

2.透射电子显微镜：ISO25498:2018微区衍射分析界面原子排列

3.扫描探针技术：ISO11039:2020规范表面电势与形貌联测流程

4.低温输运测试：GB/T35031-2018量子输运特性测量规程

5.拉曼光谱分析：GB/T36075-2018应变场分布测试方法

检测设备

1.PANalyticalX'Pert3MRD：高分辨率X射线衍射仪(角度重复性0.0001)

2.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜(ScanAsyst模式分辨率0.2nm)

3.JEOLJEM-ARM300F：球差校正透射电镜(点分辨率0.05nm)

4.LakeshoreCRX-VF：低温探针台(温度稳定性10mK@4.2K)

5.HoribaLabRAMHREvolution：共聚焦拉曼光谱仪(空间分辨率200nm)

6.AgilentB1500A：半导体参数分析仪(电流分辨率0.1fA)

7.OxfordInstrumentsMicrostatHiResⅡ：变温光致发光测试系统(温控范围4-500K)

8.ZeissMerlinCompact：场发射扫描电镜(二次电子分辨率0.8nm@15kV)

9.RHKTechnologyUHVVT-STM：超高真空扫描隧道显微镜(Z轴分辨率0.01)

10.Keithley4200A-SCS：光电特性测试系统(支持C-V/I-V/PV多模式测量)

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于超晶格线检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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