1.正向电压(VF):测试电流1mA至10A范围内压降值,典型阈值0.3V-1.2V。
2.反向击穿电压(VRRM):施加反向电压至漏电流达1mA时的临界值,范围50V-3000V。
3.反向漏电流(IR):25℃/125℃下施加80%VRRM时漏电流测量精度≤1nA。
4.结电容(Cj):频率1MHz时测量电容值0.5pF-100pF。
5.热阻(RθJA):功率耗散1W-50W时结到环境热阻0.5℃/W-200℃/W。
1.硅整流二极管(1N4007系列)
2.肖特基二极管(BAT54系列)
3.齐纳稳压二极管(BZX55系列)
4.TVS瞬态抑制二极管(P6KE系列)
5.发光二极管(LED)与光电二极管(PD)
1.ASTMF123-XX《半导体器件直流参数测试规程》
2.IEC60747-5《分立器件测试标准》
3.GB/T4587-2018《半导体器件分立器件测试方法》
4.JEDECJESD22-A108E《高温反偏试验方法》
5.MIL-STD-750F《军用半导体器件试验方法》
1.KeysightB1505A功率器件分析仪:IV特性曲线扫描精度0.02%
2.TektronixDMM6500数字万用表:6位分辨率支持μV级压降测量
3.Agilent4294A阻抗分析仪:40Hz-110MHz频段电容测试误差0.8%
4.Chroma19032耐压测试仪:AC/DC0-5kV击穿电压测试
5.FlukeTi401PRO热成像仪:热分布分析空间分辨率≤0.05℃
6.ESPECPL-3KPH温度循环箱:-70℃~+180℃温变速率15℃/min
7.HiokiIM3590化学阻抗仪:结电容频率特性分析
8.Keithley2636B源表:100nA分辨率反向漏电流测试
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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4、检测服务领域广,可参考标准多(国标、企标、通标、工标、国际标准等)。
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1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
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1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
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