跨导检测

检测项目

1.阈值电压(Vth)：测量范围10V，分辨率0.1mV

2.跨导值(gm)：测试频率1kHz-1MHz，精度0.5%

3.漏极电流(Idss)：量程0.1nA-10A，温度补偿范围-55℃~150℃

4.亚阈值摆幅(S)：测试电压步进0.01V，数据采集速率100kS/s

5.栅极泄漏电流(Igss)：灵敏度1pA，最大测试电压40V

检测范围

1.MOSFET器件：包括平面型、沟槽型及超结结构功率管

2.IGBT模块：电压等级600V-6500V的工业级功率模块

3.CMOS集成电路：特征尺寸28nm-180nm的逻辑芯片

4.薄膜晶体管(TFT)：氧化物半导体与有机半导体显示器件

5.宽禁带半导体：SiC/GaN基HEMT器件的动态跨导特性

检测方法

ASTMF1244：场效应晶体管直流参数标准测试规程

ISO16700：微束分析-电子探针定量分析方法

GB/T17573-2021：半导体器件分立器件和集成电路总规范

GB4936.1-2022：半导体器件机械和气候试验方法

JESD22-A114F：静电放电敏感度测试的人类体模型标准

检测设备

KeysightB1500A：半导体器件分析仪，支持IV/CV/脉冲测试模式

Tektronix4200A-SCS：晶圆级参数分析系统，集成探针台接口

Agilent4155C：高精度参数分析仪，最小电流分辨率0.1fA

Keithley2636B：双通道源表，支持10A脉冲电流输出

CascadeSummit12000B：全自动探针台，定位精度0.5μm

ESPECTSE-11A：温度特性测试箱，温控范围-70℃~300℃

HiokiIM3590：化学阻抗分析仪，频率范围0.01Hz-200MHz

AdvantestU5340：高速参数测试机，支持多站点并行测试

ThermoFisherELIONIXERA-8800FE：场发射电子束测试系统

SUSSMicroTecPA300：光电流特性分析平台带激光激发模块

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于跨导检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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