薄膜晶体检测

检测项目

1.膜层厚度测量：采用非接触式椭偏仪测量10nm-10μm范围厚度值，精度0.5nm

2.表面粗糙度分析：原子力显微镜(AFM)测试Ra≤0.3nm的超光滑表面

3.载流子迁移率测试：霍尔效应仪测量110^15~110^19cm^-3浓度范围

4.结晶取向测定：X射线衍射仪(XRD)分析0.01晶面偏移量

5.缺陷密度检测：阴极荧光系统识别≥0.1μm的晶格缺陷

检测范围

1.第三代半导体材料：SiC/GaN外延片及其器件结构层

2.光伏薄膜材料：CIGS/CZTS等化合物半导体吸收层

3.光学镀膜材料：ZnS/MgF2多层抗反射膜系

4.柔性电子材料：PI基板上的ITO透明导电膜

5.MEMS传感器材料：压电ZnO/AlN功能薄膜

检测方法

ASTMF1529-2021非接触式薄膜厚度测量标准

ISO14707:2020辉光放电光谱成分分析法

GB/T14264-2021半导体材料电阻率测试规范

ISO21283:2018原子力显微镜表面形貌表征法

GB/T38976-2020硅基外延层缺陷测试方法

检测设备

FilmetricsF20光谱椭偏仪：波长范围365-1700nm，支持多层膜分析

BrukerDektakXT台阶仪：垂直分辨率0.1，最大扫描长度55mm

KeysightB1500A半导体分析仪：最小电流分辨率0.1fA

ThermoFisherESCALABXi+XPS系统：空间分辨率≤7.5μm

BrukerDimensionIcon原子力显微镜：扫描精度0.1nmXYZ方向

RigakuSmartLabXRD：配备四轴测角器，角度重复性0.0001

Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持脉冲IV测试模式

ZeissMerlinSEM：分辨率0.8nm@15kV，配备EDS/EBSD联用系统

HORIBALabRAMHREvolution拉曼光谱仪：空间分辨率<300nm

Agilent5500SPM：支持导电AFM与压电力显微镜模式

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于薄膜晶体检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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