1. 晶格常数测定:测量单晶晶胞参数(a,b,c轴),误差范围±0.002Å
2. 位错密度分析:采用EBSD技术测定位错密度值(单位:cm⁻²),分辨率达50nm
3. 晶体取向偏差:测定主晶轴与理论取向偏离角(θ≤0.5°)
4. 单晶完整性指数:通过XRD半峰宽计算(FWHM≤0.1°)
5. 杂质元素分布:采用WDS分析杂质浓度(检出限0.01at%)
1. 半导体单晶硅片(直径300mm以下)
2. 高温合金涡轮叶片定向凝固组织
3. 蓝宝石衬底(c面取向偏差≤0.2°)
4. 激光晶体(Nd:YAG, YVO4等)
5. 超导材料(YBCO单晶薄膜)
1. X射线衍射法:ASTM E1426-14(2020)测定晶格参数
2. 电子背散射衍射:ISO 24173:2023微区取向分析
3. 拉曼光谱法:GB/T 32842-2016缺陷表征
4. 透射电镜分析:GB/T 28871-2018位错观测
5. 同步辐射CT:ISO 22262-3三维晶体重构
1. PANalytical Empyrean X射线衍射仪:配备高温样品台(RT-1600℃)
2. JEOL JSM-7900F场发射电镜:EBSD分辨率3nm@15kV
3. Renishaw inVia Qontor拉曼光谱仪:532nm激光/1800grating
4. FEI Talos F200X透射电镜:STEM模式点分辨率0.16nm
5. Bruker D8 DISCOVER XRD系统:Hi-Star二维探测器
6. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器:采集速度4000pps
7. Shimadzu EPMA-8050G电子探针:WDS波长分辨率5eV
8. Malvern Panalytical X'Pert3 MRD XL高分辨衍射仪:四轴测角仪系统
9. Zeiss LSM 900激光共聚焦显微镜:405-785nm多波长光源
10. Thermo Fisher Scios 2 DualBeam FIB-SEM:三维EBSD重构功能
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
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