高阻硅衬底检测

检测项目

1.电阻率测试：测量范围1kΩcm~10kΩcm，精度2%

2.晶体缺陷密度：位错密度≤500/cm，微缺陷尺寸≤50nm

3.表面粗糙度：Ra≤0.3nm(5μm5μm扫描区域)

4.氧含量分析：氧浓度8~18ppma(ASTMF121标准)

5.载流子寿命：≥100μs(光电导衰减法)

检测范围

1.单晶硅衬底(直径100mm~300mm)

2.掺杂型高阻硅(磷/硼掺杂浓度1e13~1e15atoms/cm)

3.SOI(Silicon-On-Insulator)复合衬底

4.退火处理衬底(温度范围400℃~1200℃)

5.外延生长层(厚度1μm~50μm)

检测方法

1.电阻率测试：ASTMF84四探针法/GB/T1552标准

2.X射线衍射(XRD)：ISO14707晶体完整性分析

3.原子力显微镜(AFM)：ISO11039表面形貌表征

4.二次离子质谱(SIMS)：GB/T32281杂质深度分布

5.傅里叶红外光谱(FTIR)：ASTMF1188氧含量测定

检测设备

1.Keithley2450四探针电阻率测试仪(10nV~200V量程)

2.RigakuSmartLabX射线衍射仪(0.0001角度分辨率)

3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜(0.1nm纵向分辨率)

4.CAMECAIMS7f-auto二次离子质谱仪(ppb级检出限)

5.ThermoScientificNicoletiS50FTIR光谱仪(4cm⁻分辨率)

6.SemilabWT-2000光电导衰减测试系统(0.1μs时间分辨率)

7.KLASurfscanSP3无接触表面缺陷检测仪(0.12μm灵敏度)

8.OxfordInstrumentsEBSD系统(晶体取向分析精度0.5)

9.Agilent5500扫描探针显微镜(多模式形貌表征)

10.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪(空间分辨率0.5μm)

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于高阻硅衬底检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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