结深检测

检测项目

1.结深值测量：范围0.1-50μm，分辨率2nm

2.掺杂浓度分布：检测梯度1e16-1e21atoms/cm

3.界面陡峭度分析：测量精度0.3nm/decade

4.缺陷密度评估：灵敏度≥1e10defects/cm

5.热预算影响测试：温度范围300-1200℃

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)基PN结

2.集成电路：CMOS器件源漏结、双极晶体管发射结

3.光伏器件：PERC电池选择性发射极、HJT非晶硅/晶体硅异质结

4.功率器件：IGBT场终止层、SiC肖特基势垒结

5.MEMS传感器：压阻层掺杂剖面

检测方法

1.二次离子质谱法(SIMS)：ASTME1162-22深度分辨率<5nm

2.扩展电阻探针(SRP)：GB/T35008-2018纵向分辨率10nm

3.椭偏光谱法：ISO14707:2020非破坏性测量

4.化学染色法：GB/T1551-2021宏观结深快速检测

5.透射电镜(TEM)：JESD35-A110截面直接观测

检测设备

1.ThermoFisherSIMS4550：配备O₂⁺/Cs⁺双离子源，深度分析精度1.5%

2.KLAUV-1280椭偏仪：光谱范围190-1700nm，膜厚测量重复性0.1

3.CapresMicroHallSRP系统：四探针电阻率测量分辨率0.1Ωcm

4.HitachiHF5000TEM：点分辨率0.1nm，配备EDS能谱仪

5.BrukerDektakXT轮廓仪：台阶高度测量精度0.5nm

6.SemilabPV-2000少子寿命测试仪：微波光电导衰减法测量扩散长度

7.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV高压I-V特性测试

8.FourDimensionsSSM-495扩散层测试系统：四探针薄层电阻测量

9.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：干法刻蚀制备TEM样品

10.LeicaEMTXP精密切片机：切割精度50nm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于结深检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

上一篇：焙烧强度检测
下一篇：光纤调节片检测

本文地址：https://www.beijianceshi.com/bjcs-info/18391.html