等离子体去胶检测

检测项目

1. 残留胶层厚度：采用椭偏仪测量，精度±0.1nm，范围0.1-10nm

2. 表面元素污染：X射线光电子能谱(XPS)分析碳氧比(C/O≤0.05)

3. 表面粗糙度：原子力显微镜(AFM)Ra值≤0.5nm

4. 晶圆损伤深度：透射电子显微镜(TEM)观测损伤层＜2nm

5. 等离子均匀性：激光干涉仪测量300mm晶圆内波动≤3%

检测范围

1. 半导体硅晶圆(8/12英寸)

2. III-V族化合物基板(GaAs、GaN)

3. MEMS器件结构层(SiO₂/SiNx叠层)

4. 光刻胶残留物(KrF/ArF/i-line型)

5. 金属互联层表面(Cu/Al/TiN体系)

检测方法

1. ASTM E1523-15表面化学分析标准

2. ISO 14606:2018等离子处理后表面特性测试

3. GB/T 39143-2020半导体晶片表面质量检测

4. JESD22-A120D电子器件清洗工艺评估

5. SEMI F47-0709晶圆表面颗粒度测试规范

检测设备

1. Thermo Scientific K-Alpha+ XPS系统：元素成分定量分析

2. Bruker Dimension Icon AFM：亚纳米级形貌表征

3. J.A. Woollam M-2000DI椭偏仪：薄膜厚度测量

4. FEI Talos F200X TEM：微观结构损伤分析

5. KLA-Tencor Surfscan SP7：表面缺陷扫描

6. Zygo NewView 9000：三维表面轮廓测量

7. Hitachi SU9000 SEM：微区形貌观测

8. Horiba LabRAM HR Evolution：拉曼光谱分析

9. Keysight 5500 LS AFM：导电性表面测试

10. Nikon MM-400测量显微镜：宏观缺陷检查

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

📝 报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

⏳ 检测周期：7~15工作日，可加急。

🏅 资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

📏 标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

🔬 非标测试：支持定制化试验方案。

📞 售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于等离子体去胶检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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