单晶体生长检测

检测项目

1. 位错密度检测：通过腐蚀坑法测量密度范围10³-10⁶ cm⁻²

2. 晶向偏差测定：X射线衍射法测定偏差角±0.05°-1.0°

3. 杂质浓度分析：二次离子质谱(SIMS)检测浓度≤1ppm

4. 晶体缺陷密度：同步辐射形貌术识别层错/孪晶缺陷

5. 热稳定性测试：热重分析仪(TGA)测定失重率≤0.1%/100℃

检测范围

1. 半导体单晶硅：用于集成电路基板材料

2. 蓝宝石单晶：LED衬底及光学窗口材料

3. 碳化硅单晶：功率器件用宽禁带半导体

4. Nd:YAG激光晶体：固体激光器核心元件

5. GaAs半导体单晶：微波器件与光伏材料

检测方法

1. X射线衍射法：ASTM E1426测定晶格常数精度±0.0001nm

2. 电子背散射衍射(EBSD)：ISO 24173分析晶体取向分布

3. 光致发光谱(PL)：GB/T 32651-2016检测禁带宽度

4. 原子力显微镜(AFM)：GB/T 31227-2014表征表面粗糙度Ra≤1nm

5. 电感耦合等离子体(ICP-OES)：ISO 11885测定金属杂质含量

检测设备

1. Rigaku SmartLab X射线衍射仪：θ-2θ扫描精度0.0001°

2. Hitachi SU5000场发射电镜：分辨率0.8nm@15kV

3. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：Z轴分辨率0.1nm

4. Netzsch STA 449F3同步热分析仪：温度范围RT-1600℃

5. Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS：检出限0.1ppt

6. Oxford Instruments Symmetry EBSD系统：角分辨率0.5°

7. Horiba LabRAM HR Evolution拉曼光谱仪：空间分辨率0.5μm

8. Agilent Cary 7000紫外可见分光光度计：波长精度±0.08nm

9. Zeiss Axio Imager A2m金相显微镜：500×明暗场观察

10. Malvern Panalytical Empyrean XRD系统：二维探测器帧率100Hz

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于单晶体生长检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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