缺陷半导体检测

检测项目

1.载流子浓度：测量范围1E14~1E20cm⁻，精度3%
2.位错密度：分辨率≥100cm⁻，采用腐蚀坑法或XRD分析
3.表面粗糙度：Ra值0.1~10nm区间测量
4.氧碳含量：FTIR光谱法测定氧含量5E15~2E17atoms/cm
5.界面态密度：CV法测量1E10~1E13eV⁻cm⁻

检测范围

1.单晶硅片(直径200/300mm)
2.化合物半导体(GaAs、GaN、SiC)
3.外延层结构(厚度0.1~50μm)
4.集成电路前端工艺晶圆
5.功率器件封装前芯片

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：霍尔效应测试标准
2.ISO14606:2015：X射线衍射位错分析
3.GB/T1551-2021：硅单晶电阻率测定
4.JESD22-A120B：热载流子注入测试
5.IEC60749-26:2013：功率循环可靠性评估

检测设备

1.KLA-TencorSurfscanSP5：表面颗粒检测(灵敏度50nm)
2.ThermoFisherHeliosG4UX：聚焦离子束扫描电镜
3.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜(分辨率0.1nm)
4.Agilent4156C：精密半导体参数分析仪
5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD：电子背散射衍射系统
6.HoribaLabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪
7.CAMECAIMS7f-Auto：二次离子质谱仪(质量分辨率>5000)
8.VeecoDektakXTL：台阶仪(垂直分辨率0.1)
9.RigakuSmartLabSE：高分辨X射线衍射仪
10.KeysightB1500A：器件特性分析系统

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

📝 报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

⏳ 检测周期：7~15工作日，可加急。

🏅 资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

📏 标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

🔬 非标测试：支持定制化试验方案。

📞 售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于缺陷半导体检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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