反向电压检测

检测项目

1.反向击穿电压(VBR)：测量器件发生雪崩击穿时的临界电压值(0.1V-3000V)
2.反向漏电流(IR)：量化反向偏置状态下的泄漏电流(1nA-10mA)
3.温度特性曲线：记录-55℃至+175℃温区内VBR与IR的变化规律
4.动态响应时间：测试反向恢复时间trr(10ns-10μs)
5.重复耐受性：验证连续1000次10%VBR冲击后的参数漂移量

检测范围

1.半导体分立器件：二极管/晶体管/晶闸管(TO-220/TO-247封装)
2.光伏组件：太阳能电池板旁路二极管
3.电解电容器：铝电解/钽电容(16V-450V)
4.LED芯片：GaN基发光二极管阵列
5.电源模块：AC-DC转换器整流单元

检测方法

1.ASTMF1241-2014：半导体器件反向特性测试规程
2.IEC60747-1:2006分立器件基本参数测量
3.GB/T4937-2012半导体器件机械和气候试验方法
4.JESD22-A108F:2018电子器件加速寿命试验标准
5.GB/T2423.22-2012环境试验温度变化测试规范

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪(200μV/10fA分辨率)
2.Chroma19054耐压测试仪(5kV/20mA输出)
3.TektronixPA3000高精度功率分析仪
4.ESPECPCT-332温控试验箱(-70℃~+180℃)
5.HiokiST4030静电放电模拟器(30kV脉冲输出)
6.Agilent4156C半导体参数分析仪
7.Fluke1587FC绝缘电阻测试仪
8.GWInstekGPT-9801安规综合测试系统
9.Keithley2450源表一体机
10.ThermotronS-80振动冲击试验台

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于反向电压检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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