1.时序参数测试:CL值(CAS延迟)14-20周期范围,tRCD(行到列延迟)15-18ns精度0.5ns
2.信号完整性验证:眼图张开度≥0.7UI,抖动容限<50psRMS@3.2GHz
3.功耗特性分析:待机电流≤10mA2%,动态功耗波动<5%@1.2V基准电压
4.温度适应性测试:-40℃至+125℃工作温度范围验证
5.电磁兼容性检测:辐射发射限值30MHz-1GHz≤40dBμV/m
1.DDR4/DDR5双列直插式存储模块(DIMM)
2.LPDDR4X/LPDDR5移动端低功耗内存颗粒
3.GDDR6/GDDR6X图形处理专用显存芯片
4.HBM2/HBM2E高带宽堆叠式存储器件
5.NVDIMM-P持久性内存混合模块
1.ASTMF2595-16高温存储寿命加速试验方法
2.ISO11452-8:2015电磁辐射敏感度测试规范
3.GB/T26246-2010半导体存储器测试方法通则
4.JEDECJESD209-5BLPDDR5标准兼容性验证流程
5.GB/T17626.6-2017射频场感应的传导骚扰抗扰度
1.KeysightD9040SALDDR4/5协议分析仪(支持6400MT/s速率解析)
2.TektronixDPO73304SX示波器(33GHz带宽,信号完整性分析)
3.Chroma7123内存模块综合测试系统(时序/功耗/温度三合一测试)
4.AdvantestV93000ATE平台(HBM2E芯片级参数验证)
5.ThermonicsT-2600S温度冲击试验箱(-65℃~+150℃循环测试)
6.EMTestNSG3060A辐射发射测试系统(CISPR25标准认证)
7.NIPXIe-4139高精度电源模块(0.1μV电压分辨率)
8.XcerraSLT-4500系统级老化测试机(1000小时持续压力测试)
9.R&SZNB20矢量网络分析仪(阻抗匹配特性测量)
10.ESPECSH-642恒温恒湿箱(10%~98%RH湿度控制)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是关于交插内存检测相关介绍,如果您还有其他疑问,可以咨询在线工程师提交您的需求,为您提供一对一解答。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
1、拥有完善的检测服务体系,科学、严谨、认证。
2、我院对已出过的报告负责。
3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。
4、检测服务领域广,可参考标准多(国标、企标、通标、工标、国际标准等)。
5、周期短,费用低,方案全。
6、支持定制化试验方案,数据更加科学准确。
7、全国上门取样/现场见证试验。
8、资质全,团队强,后期服务体系完善
1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。
1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
4、试验测试完成,出具检测测试报告;
5、委托完成,我方提供售后服务。