1.工作电压范围测试:验证1.2V-3.3V区间内存储单元读写稳定性
2.时序参数验证:包括tRCD(15-20ns)、tCL(10-18ns)、tRP(12-22ns)等关键时序指标
3.数据保持时间测量:断电后数据保留时长≥64ms(DRAM)/≥10年(SRAM)
4.刷新周期测试:动态存储器刷新间隔≤32ms(符合JEDEC标准)
5.高低温循环试验:-40℃至+125℃环境下功能稳定性验证
1.动态随机存储器(DRAM):DDR4/DDR5/LPDDR4X等系列产品
2.静态随机存储器(SRAM):异步SRAM、同步流水线SRAM
3.低功耗存储器:物联网设备用CBRAM/ReRAM新型存储器
4.图形处理存储器:GDDR6/GDDR6X显存芯片
5.非易失性内存模组:NVDIMM-N混合存储模组
1.电气特性测试:依据JESD79-4B(DDR4)、JESD209-5C(LPDDR5)标准执行
2.信号完整性分析:采用IEEE1156.1协议进行眼图测试与抖动测量
3.环境可靠性试验:参照GB/T2423.22-2012温度循环试验方法
4.耐久性评估:按IEC60749-34标准进行10^12次读写循环测试
5.ESD防护测试:执行AEC-Q100-002RevH静电放电标准
1.KeysightB1500A半导体参数分析仪:IV/CV特性曲线测量
2.TektronixMSO64B示波器:6GHz带宽信号完整性分析
3.AdvantestT5830存储器测试系统:支持DDR5-6400时序验证
4.ThermoStreamT-2600温度冲击箱:-65℃至+200℃快速温变控制
5.Chroma3380电源模块:0.05%电压精度供电系统
6.NIPXIe-4139源测量单元:100nA分辨率漏电流检测
7.XcerraSLT-4500系统级测试平台:芯片级功能验证
8.ESPECSH-642恒温恒湿箱:10%-98%RH湿度控制精度
9.EMTESTDITO2000雷击浪涌发生器:8/20μs波形模拟
10.CohuMAXTER探针台:300mm晶圆级参数测试
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
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2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
4、试验测试完成,出具检测测试报告;
5、委托完成,我方提供售后服务。
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