辐射加固器件检测

检测项目

1.总剂量效应(TID)测试：测量器件在γ射线或X射线下的累积损伤阈值，剂量率范围0.01-300rad(Si)/s

2.单粒子效应(SEE)测试：评估重离子诱发翻转/闩锁概率，LET值覆盖1-120MeVcm/mg

3.位移损伤剂量(DDD)测试：中子辐照下晶格缺陷分析，通量密度110^10-110^14n/cm

4.剂量率效应(DRE)测试：脉冲辐射瞬时响应特性分析，剂量率峰值≥110^9rad(Si)/s

5.退火特性测试：85-300℃温度范围内辐射损伤恢复能力评估

检测范围

1.航天级半导体材料：GaAsHBT、SiCMOSFET、GaNHEMT等宽禁带器件

2.抗辐射集成电路：FPGA、ADC/DAC转换器、SRAM存储器

3.核工业传感器：中子探测器、γ剂量仪核心元件

4.卫星用光学器件：CCD/CMOS图像传感器、红外焦平面阵列

5.特种封装材料：陶瓷多层封装、金属气密封装抗辐射性能验证

检测方法

1.ASTMF1192:半导体器件γ射线总剂量效应测试规范

2.ISO15856:航天系统单粒子效应地面模拟试验方法

3.GB/T34909-2017:抗辐射加固功率MOSFET位移损伤测试规程

4.MIL-STD-750FMethod1080:晶体管中子辐照试验程序

5.GB/T4937.22-2018:半导体器件机械和气候试验方法-中子辐照

检测设备

1.VarianClinac23EX医用直线加速器：产生6-20MeV高能电子束模拟空间辐射环境

2.HI-13串列加速器：提供10-100MeV重离子束用于单粒子效应研究

3.PTWUNIDOSE放射剂量仪：测量0.1μGy-10Gy范围内的吸收剂量

4.ORTECHPGeγ谱仪系统：能量分辨率≤0.2keV@1.33MeV的放射性分析

5.ThermoScientificNEUTRONRA中子发生器：14MeVD-T中子产率≥110^11n/s

6.KeysightB1500A半导体参数分析仪：纳安级漏电流测量精度

7.CascadeSummit12000探针台：支持-55℃至+300℃温控的晶圆级测试

8.FLIRX8500sc红外热像仪：64Hz高速采集辐射热失效过程

9.TektronixDPO7054示波器：20GHz带宽记录瞬态辐射效应波形

10.FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统：纳米级失效定位与剖面分析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于辐射加固器件检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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