超浅结检测

检测项目

1.结深测量：0.5-50nm深度范围，分辨率≤0.3nm
2.掺杂浓度分布：1e19-1e21atoms/cm动态范围
3.薄层电阻：10-500Ω/□精度1%
4.界面缺陷密度：1e10-1e12cm⁻eV⁻灵敏度
5.热预算评估：800-1050℃快速退火工艺模拟
6.横向扩散系数：ΔL≤3nm@5nm节点
7.氧化层完整性：等效氧化层厚度0.5-2nm

检测范围

1.硅基超浅结：n+/p+型注入层(B,As,P离子)
2.SiGe异质结构：Ge含量15-40%应变层
3.化合物半导体：GaNHEMT二维电子气界面
4.金属硅化物：NiPtSi/Si接触界面(厚度<15nm)
5.先进互连结构：Co/W接触插塞界面
6.二维材料器件：MoS₂/WSe₂范德华异质结

检测方法

1.ASTMF1393:2021四探针法薄层电阻测试规范
2.ISO17560:2022SIMS深度剖析技术标准
3.GB/T18904-2018二次离子质谱分析方法通则
4.JESD28-C超浅结扩展电阻测试规程
5.GB/T35099-2018纳米结构椭偏测量方法
6.SEMIMF1528瞬态微波光电导衰减载流子寿命测试
7.ISO21466:2019TEM截面样品制备规范

检测设备

1.PHInanoTOFII二次离子质谱仪：深度分辨率0.3nm@10nm深度
2.ThermoFisherHeliosG4UXe双束电镜：截面制备+STEM成像
3.KLAUV1280椭偏仪：0.1膜厚测量精度
4.Keithley4200A-SCS参数分析仪：fA级漏电流测试能力
5.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：导电AFM模式(CAFM)
6.NanometricsNanoDiffractX射线衍射仪：微区ω-2θ扫描
7.HORIBALabRAMHREvolution微区拉曼：0.5μm空间分辨率
8.AgilentB1500A波形发生器：100ns脉冲IV测试功能
9.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP刻蚀机：亚纳米级逐层剥离
10.CAPRESmicroRSP-M8探针台：10μm间距微区电阻测绘

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于超浅结检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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