受体掺杂检测

检测项目

1.载流子浓度：采用霍尔效应测试仪测量(范围1E14~1E20cm⁻)，误差≤5%
2.迁移率分析：低温环境(77K~300K)下测定电子/空穴迁移率(0.1~10⁴cm/Vs)
3.缺陷密度检测：深能级瞬态谱(DLTS)扫描(灵敏度达1E10cm⁻)
4.掺杂均匀性：二次离子质谱(SIMS)面扫描(分辨率50nm)
5.激活能测定：变温电导率测试(温度范围80-450K)

检测范围

1.半导体材料：硅基/III-V族化合物晶圆(直径≤300mm)
2.光伏材料：钙钛矿薄膜(厚度100-500nm)、CIGS吸收层
3.热电材料：Bi₂Te₃基合金块体(尺寸≥10102mm)
4.光学材料：稀土掺杂光纤预制棒(直径20-200mm)
5.催化材料：过渡金属掺杂纳米颗粒(粒径5-100nm)

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：霍尔效应参数标准测试规程
2.ISO20203:2006：X射线衍射法测定晶体缺陷密度
3.GB/T1551-2018：半导体单晶电阻率直流四探针法
4.ISO14707:2015：辉光放电质谱表面分析通则
5.GB/T35031-2018：光伏材料少子寿命微波光电导衰减法

检测设备

1.霍尔效应测试系统(HMS-3000)：四探针配置，磁场强度0.55T
2.X射线衍射仪(RigakuSmartLab)：Cu靶Kα辐射(λ=1.5406)
3.二次离子质谱仪(CAMECAIMS7f)：质量分辨率M/ΔM≥10,000
4.深能级瞬态谱仪(DLS-83D)：温度扫描范围15-500K
5.原子探针层析仪(LEAP5000XR)：空间分辨率0.3nm
6.微波光电导系统(WT-2000)：频率10GHz，灵敏度0.1μs
7.辉光放电质谱仪(GD-MSProfilerII)：检出限≤0.01ppb
8.扫描电子显微镜(FEINovaNanoSEM450)：分辨率1nm@15kV
9.傅里叶红外光谱仪(NicoletiS50)：光谱范围7800-350cm⁻
10.四探针电阻率测试仪(Loresta-GPMCP-T610)：量程10⁻~10⁶Ωcm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于受体掺杂检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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