晶圆键合强度测试

检测项目

1.拉伸强度测试：通过拉力试验机施加垂直载荷，测量键合界面在断裂前的最大应力值，评估键合层的抗拉性能与界面结合质量。

2.剪切强度测试：使用专用剪切装置施加平行力，检测键合层在剪切应力下的失效点，分析界面粘附强度与材料相容性。

3.剥离强度测试：采用剥离试验机测量键合界面在剥离方向上的强度，适用于薄膜键合结构的耐久性评估。

4.四点弯曲测试：应用均匀弯曲力矩于键合样品，评估结构在弯曲应力下的机械行为与裂纹扩展趋势。

5.冲击强度测试：模拟高速冲击载荷，检测键合界面在动态应力下的抗冲击能力，关联实际应用中的瞬时负载情况。

6.疲劳寿命测试：在循环加载条件下进行强度测量，分析键合性能随载荷次数的衰减规律，预测长期使用可靠性。

7.热循环测试：在温度循环环境中进行强度评估，检测热应力对键合界面的影响，验证温度变化下的稳定性。

8.湿度敏感度测试：控制高湿度条件测量键合强度，评估环境湿度对界面性能的退化机制与腐蚀风险。

9.超声波扫描检测：利用超声波成像技术可视化键合界面内部缺陷，如空洞或分层，辅助强度数据的综合解读。

10.显微镜观察分析：通过光学或电子显微镜检查键合表面形貌，识别微观裂纹、剥落等失效模式，关联宏观强度表现。

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检测范围

1.硅-硅直接键合：广泛应用于微机电系统器件，键合强度高，需检测界面均匀性、缺陷密度及热应力耐受性。

2.玻璃-硅阳极键合：常见于传感器和封装应用，测试重点包括电场辅助下的键合强度与界面电化学稳定性。

3.金属-半导体共晶键合：用于功率半导体器件，评估金属层与半导体界面的结合强度及高温环境下的性能保持。

4.聚合物键合：如苯并环丁烯键合，适用于低温工艺，检测聚合物粘附层的机械强度与老化特性。

5.氧化物融合键合：通过高温处理实现键合，测试氧化物层的界面结合力，验证其在复杂应力下的耐久性。

6.临时键合与解键合：用于三维集成电路集成，评估临时键合强度以及在解键合过程中的完整性损失。

7.异质材料键合：如硅-砷化镓组合，检测不同热膨胀系数导致的应力集中，确保强度在多变环境中的一致性。

8.晶圆级封装键合：适用于芯片级封装或晶圆级封装结构，测试整体封装机械强度与界面可靠性。

9.厚膜键合：在厚膜电路中的应用，评估键合层厚度对强度的影响，以及厚度均匀性与性能关联。

10.多芯片模块键合：用于多芯片模块组装，检测多个芯片键合到基板上的强度分布均匀性及长期负载能力。

检测标准

国际标准：

ASTM F1261、JESD22-B116、SEMI M1、ISO 14644-1、MIL-STD-883

国家标准：

GB/T 4937、GB/T 2423、GB/T 5170、GB/T 16525、GB/T 17573

检测设备

1.拉力试验机：用于施加精确拉伸载荷，测量键合界面在垂直方向上的最大强度值，提供定量数据用于工艺验证。

2.剪切测试仪：专门设计用于施加平行剪切力，评估键合层在剪切应力下的失效机制与材料兼容性。

3.剥离试验机：测量薄膜或涂层键合在剥离力作用下的强度，分析界面粘附性能与失效阈值。

4.四点弯曲试验机：应用均匀弯曲力矩，测试键合结构在弯曲条件下的机械响应与裂纹 initiation点。

5.冲击试验机：模拟高速冲击环境，检测键合界面在动态载荷下的强度保持率与损伤模式。

6.疲劳试验机：在循环加载模式下进行测试，评估键合寿命与性能衰减趋势，支持可靠性建模。

7.环境试验箱：控制温度、湿度等参数，进行环境应力下的强度测量，验证键合在恶劣条件下的耐久性。

8.超声波扫描显微镜：利用高频声波成像技术，检测键合界面内部缺陷如空洞或分层，辅助强度数据的微观解释。

9.光学显微镜：用于观察键合表面形貌，识别微观裂纹、剥落或其他失效特征，关联宏观测试结果。

10.扫描电子显微镜：提供高分辨率图像分析键合界面微观结构，评估元素分布与界面结合质量。

AI参考视频

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

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报告作用

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试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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