锗单晶检测

检测项目

1.晶体结构参数：晶格常数(0.56570.0002nm)、位错密度(≤500cm⁻)、单晶取向偏差(<0.5)
2.电学性能：电阻率(0.01-50Ωcm)、载流子浓度(110-510⁶cm⁻)、霍尔迁移率(≥3000cm/Vs)
3.光学性能：红外透过率(8-12μm波段≥45%)、折射率均匀性(Δn≤510⁻⁴)
4.杂质含量：金属杂质(Fe<1ppm、Cu<0.5ppm)、氧含量(≤110⁶atoms/cm)
5.机械性能：维氏硬度(780-820HV)、弯曲强度(≥120MPa)

检测范围

1.红外光学器件：热成像系统透镜、窗口片、棱镜等光学元件
2.半导体材料：高纯探测器级锗单晶(纯度≥99.9999%)
3.γ射线探测器：同轴HPGe探测器用晶体
4.太阳能电池基板：空间用高效光伏电池衬底材料
5.单晶衬底材料：分子束外延(MBE)用抛光晶圆(直径100-200mm)

检测方法

1.ASTMF43-22《半导体材料电阻率测试标准方法》
2.GB/T1550-2018《半导体材料导电类型测试方法》
3.ISO14707:2021《表面化学分析-辉光放电质谱法》
4.GB/T14144-2022《硅单晶中杂质含量的测定方法》
5.ISO14594:2022《微束分析-电子探针微量分析指南》
6.ASTME112-13《平均晶粒度测定方法》

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：测定晶体取向和晶格常数
2.LucasLabsSYS-300四探针测试台：测量电阻率和载流子浓度
3.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：痕量金属杂质分析(检出限0.01ppb)
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面粗糙度测量(分辨率0.1nm)
5.Agilent5500FTIR光谱仪：红外透过率测试(波长范围2-25μm)
6.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：维氏硬度测试(载荷10-1000g)
7.OxfordInstrumentsAZtecEnergyEDS系统：元素成分面分布分析
8.JEOLJXA-8530F电子探针：微区成分定量分析(空间分辨率1μm)
9.AccuPycII1340氦气比重计：密度测量精度0.03%
10.VeecoNT9100光学轮廓仪：表面形貌三维重建(垂直分辨率

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于锗单晶检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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