硅片检测

检测项目

几何尺寸检测：

• 直径检测：公差±0.1mm(参照SEMI M1)
• 厚度检测：均匀性±0.5μm(如：标准厚度300μm±1%)
• 平整度检测：TTV≤5μm(SEMI MF1530)

表面缺陷检测：

• 颗粒检测：尺寸≥0.2μm颗粒数/cm²(SEMI M59)
• 划痕检测：长度≤1mm(SEMI MF1543)
• 裂纹检测：深度≤0.1μm(SEMI MF1390)

电学性能检测：

• 电阻率检测：范围0.01-100Ω·cm(参照SEMI MF84)
• 载流子浓度：偏差±5%(如：1015 atoms/cm³)
• 漏电流测试：阈值≤10nA(SEMI MF978)

机械性能检测：

• 抗弯强度：≥100MPa(SEMI MF2090)
• 硬度检测：维氏硬度≥1000HV(参照ISO 6507)

化学成分分析：

• 杂质元素检测：氧含量≤1ppb(参照SEMI MF1188)
• 金属污染：铜≤0.01ppb(SEMI MF1724)

结晶质量检测：

• 晶格缺陷：位错密度≤100/cm²(SEMI MF1809)
• 晶体取向：偏差<0.5°(SEMI MF26)

平整度检测：

• 翘曲度：≤10μm(SEMI MF1391)
• 弯曲度：≤15μm/m(SEMI MF1530)

厚度均匀性检测：

• 局部厚度差：±0.3μm(SEMI MF657)
• 全局偏差：±0.5%

污染控制检测：

• 有机残留：总碳量≤0.1μg/cm²(ISO 14644)
• 离子污染：钠≤0.01ppb(SEMI MF1392)

光学特性检测：

• 反射率：≥90%(SEMI MF1048)
• 透射率：偏差±2%(如：波长632nm)

检测范围

1. 单晶硅片： 用于集成电路制造，检测重点为晶格缺陷、电阻率精度和表面清洁度

2. 多晶硅片： 应用于太阳能电池，侧重杂质浓度、机械强度和电导率均匀性测试

3. 抛光硅片： 表面处理产品，核心检测项目包括表面粗糙度、颗粒污染和平整度偏差

4. 外延硅片： 用于高频器件，重点关注外延层厚度、缺陷密度和化学成分纯度

5. SOI硅片： 绝缘体上硅结构，检测重点为埋氧层厚度、界面缺陷和电学隔离性能

6. 太阳能硅片： 光伏应用，侧重光吸收率、晶体取向一致性和污染控制

7. MEMS用硅片： 微机电系统基材，检测项目包括机械应力、尺寸精度和表面完整性

8. 掺杂硅片： 硼磷掺杂材料，核心检测为掺杂浓度均匀性、电阻率偏差和缺陷分布

9. 薄硅片： 厚度≤100μm产品，重点测试柔韧性、厚度均匀性和裂纹敏感性

10. 定制硅片： 特殊尺寸或涂层硅片，检测聚焦涂层附着力、尺寸公差和电学特性稳定性

检测方法

国际标准：

• SEMI MF657-1109 硅片厚度测量方法(采用激光干涉法差异说明：非接触光学扫描)
• SEMI M59-0309 表面缺陷检测(基于自动光学成像差异说明：高分辨率CCD系统)
• ISO 14644-1:2015 洁净室颗粒计数(光散射法差异说明：空气采样标准)
• SEMI MF84-0309 电阻率测试(四点探针法差异说明：非破坏性测量)
• ISO 6507-1:2018 维氏硬度试验(压痕法差异说明：负载控制精度)

国家标准：

• GB/T 2828.1-2012 抽样检验程序(统计抽样差异说明：批量验收规则)
• GB/T 16594-2008 硅片表面粗糙度测试(触针法差异说明：接触式扫描)
• GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测量(对比四点探针国际标准差异说明：测试点密度要求)
• GB/T 14140-2009 硅片厚度测试(千分尺法差异说明：机械接触测量)
• GB/T 18900-2020 半导体材料缺陷检测(X射线衍射法差异说明：晶体结构分析)

检测设备

1. 激光扫描显微镜： KEYENCE VK-X3000(分辨率0.01μm，放大倍率10000×)

2. 四点探针仪： KLA-Tencor Rs-100(电阻率范围0.0001-100Ω·cm，精度±0.5%)

3. 表面轮廓仪： Bruker DektakXT(测量范围0.1nm-1mm，扫描速度1mm/s)

4. 扫描电子显微镜： Hitachi SU5000(分辨率0.5nm，加速电压0.5-30kV)

5. X射线荧光光谱仪： Shimadzu EDX-8100(检测限0.1ppm，元素范围Be-U)

6. 原子力显微镜： Bruker Dimension Icon(横向分辨率0.1nm，力传感器范围1nN-100μN)

7. 傅里叶红外光谱仪： Thermo Nicolet iS50(波长范围7800-350cm⁻¹，灵敏度0.1Abs)

8. 自动缺陷检测系统： Applied Materials Compass(检测速度5秒/片，缺陷尺寸≥0.12μm)

9. 椭偏仪： J.A. Woollam M2000(厚度测量精度±0.1nm，波长范围190-1700nm)

10. 万能材料试验机： Instron 5967(载荷范围0.02kN-30kN，应变控制精度±0.5%)

11. 激光粒度分析仪： Malvern Mastersizer 3000(粒径范围0.01-3500μm，重复性±0.5%)

12. 离子色谱仪： Thermo Dionex ICS-6000(检测限0.1ppb，流速范围0.001-10mL/min)

13. 高温退火炉： Thermcraft HTF-1700(温度范围室温-1700℃，控制精度±1℃)

14. 光学干涉仪： Zygo NewView 9000(垂直分辨率0.1nm，扫描面积100×100mm)

15. 洁净室监测系统： Particle Measuring Systems FMS-600(颗粒计数0.1-25μm，流速28.3L/min)

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于硅片检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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