硅片检测

检测项目

1.几何尺寸：厚度(0.5μm)、直径(300mm0.2mm)、总厚度变化(TTV≤3μm)
2.表面缺陷：划痕(长度＞50μm)、凹坑(深度＞0.3μm)、颗粒污染(≥0.1μm)
3.电学特性：电阻率(0.001-100Ωcm)、载流子寿命(≥100μs)
4.晶体质量：位错密度(≤500/cm)、氧含量(10⁷-10⁸atoms/cm)
5.机械性能：弯曲度(≤20μm)、翘曲度(≤30μm)

检测范围

1.单晶硅抛光片(CZ/FZ法生长)
2.多晶硅铸锭切片
3.SOI(绝缘体上硅)晶圆
4.太阳能级硅片(156156mm)
5.外延片(EPI层厚1-50μm)

检测方法

1.ASTMF533-2021硅片厚度与平整度测量标准
2.ISO14646:2020半导体材料表面缺陷分类规范
3.GB/T1551-2021硅单晶电阻率测定方法
4.SEMIMF1724-1109氧含量FTIR测试规程
5.GB/T26068-2010半导体材料晶体缺陷X射线检测法

检测设备

1.KLA-TencorSurfscanSP3：激光扫描表面缺陷检测(灵敏度0.09μm)
2.ADECorporationUltraGage9700：非接触式厚度/翘曲测量(精度0.1μm)
3.FourDimensions280SI：四探针电阻率测试仪(量程0.0001-1999Ωcm)
4.ThermoScientificNicoletiN10：傅里叶红外光谱仪(氧/碳含量分析)
5.BrukerD8Discover：高分辨率X射线衍射仪(晶体取向/缺陷分析)
6.LeicaDM8000M：金相显微镜(500倍微观缺陷观测)
7.Agilent5500：原子力显微镜(表面粗糙度Ra≤0.1nm)
8.HitachiSU5000：场发射电镜(纳米级断面分析)
9.SemilabWT-2000：非接触载流子寿命测试仪
10.TohoTechnologyFLX-2320S：全自动探针台(电参数映射测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于硅片检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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