半导体剂量监控检测

检测项目

1.离子注入剂量：测量范围1E11至1E16atoms/cm，精度3%
2.薄膜厚度：分辨率0.1nm(XRR法)，量程1nm-10μm
3.掺杂浓度：横向分辨率50nm(SIMS)，检出限1E15atoms/cm
4.表面电阻率：四探针法测量范围1mΩcm至100kΩcm
5.界面缺陷密度：采用C-V法测试，灵敏度＞1E10cm⁻eV⁻

检测范围

1.硅基晶圆：包括300mm单晶硅片及SOI晶圆
2.光刻胶层：涵盖DUV光刻胶与EUV光刻胶体系
3.金属薄膜：Al/Cu互连层及Ti/TiN阻挡层
4.介质层材料：SiO₂低k介质与Si₃N₄钝化层
5.化合物半导体：GaAs、GaN外延片掺杂结构

检测方法

1.ASTMF1529-2021：四探针法测量硅片电阻率标准规程
2.ISO14707:2015：辉光放电光谱法(GD-OES)深度剖析
3.GB/T14146-2021：霍尔效应测试载流子浓度方法
4.ASTME1122-2016：二次离子质谱(SIMS)定量分析标准
5.JESD22-A120B：热波法测量离子注入剂量行业标准

检测设备

1.KLATencorRS-100四探针测试仪：全自动晶圆级电阻率测绘
2.ThermoScientificARLiSpark8860：GD-OES深度分辨率＜5nm
3.CAMECAIMS7f-Auto：SIMS横向分辨率70nm@30kV
4.Agilent5500SPM：原子力显微镜膜厚测量精度0.2nm
5.LakeShore8404霍尔测试系统：磁场强度0-2T可调
6.BrukerD8DiscoverXRD：薄膜应力分析精度10MPa
7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：RIE刻蚀速率标定
8.HitachiSU9000FE-SEM：截面形貌观测分辨率0.6nm
9.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：痕量杂质检出限0.1ppb
10.VeecoDimensionIconAFM：台阶高度测量重复性0.15nm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于半导体剂量监控检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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