1.位错密度测定:测量范围106-1012cm-2,精度5%
2.伯格斯矢量分析:分辨率0.1nm级矢量方向测定
3.位错线宽度测量:测量范围0.2-5.0nm,重复性误差≤0.15nm
4.位错网络拓扑结构表征:三维重构精度达2nm
5.应变场分布检测:应变分辨率110-4量级
1.金属合金:包括不锈钢、铝合金(AA6061/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)等
2.半导体材料:单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)晶片
3.陶瓷材料:氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氮化硅(Si3N4)
4.高分子材料:聚乙烯(UHMWPE)、聚丙烯(PP)结晶区
5.复合材料:碳纤维增强环氧树脂基体界面区
1.ASTME112-13:晶粒度测定中的位错密度计算方法
2.ISO24173:2009:电子背散射衍射(EBSD)分析晶体缺陷规范
3.GB/T13298-2015:金属显微组织检验方法中的位错蚀坑技术
4.ISO16700:2016:扫描电镜(SEM)纳米束衍射技术规范
5.GB/T3488.2-2018:硬质合金位错观测的透射电镜制样标准
1.JEOLJEM-2100F场发射透射电镜:配备GatanOriusSC200相机,可实现0.19nm点分辨率位错成像
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪:配置LYNXEYEXE探测器,可进行微区应变分析
3.TESCANMIRA3SEM-EBSD系统:配备OxfordSymmetryEBSD探测器,空间分辨率达50nm
4.HysitronTIPremier纳米压痕仪:结合DCMII模块实现局部应变场测量
5.FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统:支持TEM样品制备的lift-out技术
6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:配置PIXcel3D探测器实现三维衍射分析
7.ZeissLibra200MCSTEM:配备Ω能量过滤器实现原子级位错核心观察
8.OxfordInstrumentsAZtecHKLAdvancedEBSD系统:支持实时位错密度计算功能
9.ShimadzuEBSD-7000系统:搭配冷场发射枪实现高角度分辨率测量
10.GatanK3IS相机:支持超低剂量电子成像的DirectDetection技术
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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