电学性能:
1. GaN单晶衬底: 涵盖2英寸至6英寸晶圆,重点检测结晶质量和位错缺陷分布
2. GaN外延薄膜: MOCVD或MBE生长薄膜,侧重界面粗糙度和掺杂均匀性
3. GaN基LED器件: 蓝光和紫外LED芯片,重点检测发光效率和热阻
4. GaN功率器件: HEMT和FET功率模块,侧重击穿电压和开关特性
5. GaN射频器件: 高频放大器模块,重点检测截止频率和谐波失真
6. GaN传感器: 气体和压力传感器元件,侧重灵敏度和稳定性
7. 混合GaN材料: GaN-on-Si或GaN-on-SiC异质结构,重点检测热失配应力
8. GaN纳米结构: 纳米线和量子点,侧重尺寸分布和量子效应
9. 封装GaN模块: 功率封装组件,重点检测界面热导和可靠性
10. GaN基光伏器件: 太阳能电池组件,侧重转换效率和光谱响应
国际标准:
1. 霍尔效应测试仪: HL5500PC型(测量范围10^14-10^20 cm⁻³,精度±2%)
2. 扫描电子显微镜: JEOL JSM-7800F型(分辨率0.8nm,加速电压0.1-30kV)
3. X射线衍射仪: Bruker D8 ADVANCE型(角度精度±0.0001°,Cu Kα辐射)
4. 原子力显微镜: Bruker Dimension ICON型(扫描范围100μm,分辨率0.1nm)
5. 热导率分析仪: Netzsch LFA 467型(温度范围-120°C-500°C,精度±3%)
6. 二次离子质谱仪: CAMECA IMS 7f型(检测限0.1ppb,深度分辨率5nm)
7. 光致发光谱仪: Horiba LabRAM HR型(光谱范围200-1100nm,分辨率0.35cm⁻¹)
8. 纳米压痕仪: Keysight G200型(载荷范围0.1-500mN,位移分辨率0.01nm)
9. 半导体参数分析仪: Keysight B1500A型(电压范围±100V,电流精度±0.1%)
10. 高温老化箱: ESPEC PL-3J型(温度范围-70°C-180°C,湿度控制10-98%)
11. 射频网络分析仪: Keysight PNA-X型(频率范围10MHz-110GHz,动态范围140dB)
12. 透射电子显微镜: FEI Titan G2型(分辨率0.07nm,加速电压80-300kV)
13. 激光闪光分析仪: Linseis LFA 1000型(热扩散率范围0.1-1000 mm²/s)
14. 能谱仪: EDAX Octane Elite型(元素分析范围B-U,精度±0.5wt%)
15. 湿度测试箱: Weiss Technik WK3-180型(温湿度稳定性±0.5°C/±2%RH)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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2、我院对已出过的报告负责。
3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。
4、检测服务领域广,可参考标准多(国标、企标、通标、工标、国际标准等)。
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7、全国上门取样/现场见证试验。
8、资质全,团队强,后期服务体系完善
1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。
1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
4、试验测试完成,出具检测测试报告;
5、委托完成,我方提供售后服务。