检测项目1.结深测量:0.5-50nm深度范围,分辨率≤0.3nm2.掺杂浓度分布:1e19-1e21atoms/cm动态范围3.薄层电阻:10-500Ω/□精度1%4.界面缺陷密度:1e10-1e12cm⁻eV⁻灵敏度5.热预算评估:800-1050℃快速退火工艺模拟6.横向扩散系数:ΔL≤3nm@5nm节点7.氧化层完整性:等效氧化层厚度0.5-2nm检测范围1.硅基超浅结:n+/p+型注入层(B,As,P离子)2.SiGe异质结构:Ge含量15-40%应变层3.化合物半导体:GaNHEMT二维电子气