1. 晶粒尺寸分析:测量板状晶平均直径(10-500μm)、长宽比(1.5-10:1)及分布均匀性(CV值≤15%)。
2. 取向分布测定:通过极图与反极图计算织构强度(Max. 5-15mrd),统计取向差角(2°-15°)占比。
3. 缺陷密度检测:位错密度(10⁶-10¹⁰/cm²)、层错能(50-300mJ/m²)及孪晶界面比例(5%-30%)。
4. 界面特性表征:晶界能(0.5-2.0J/m²)、相界面共格度(0.7-1.0)及界面扩散系数(10⁻¹⁶-10⁻¹²m²/s)。
5. 晶体对称性验证:空间群匹配度(≥95%)、晶格常数偏差(±0.005Å)及衍射斑点强度比(I/I₀≥0.8)。
1. 金属材料:铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)板材及高温合金单晶叶片。
2. 半导体材料:硅片(<100>/<111>取向)、砷化镓外延层及氮化镓功率器件。
3. 陶瓷材料:氧化铝基板(99.6%纯度)、氮化硅轴承球及压电陶瓷(PZT-5H)。
4. 复合材料:碳纤维增强环氧树脂预浸料、金属基复合材料(SiC/Al)叠层结构。
5. 功能材料:形状记忆合金(Ni-Ti)薄带、超导薄膜(YBCO)及热电材料(Bi₂Te₃)。
ASTM E112-13《测定平均晶粒度标准试验方法》:采用截距法/面积法计算晶粒尺寸。
ISO 24173:2009《电子背散射衍射(EBSD)分析方法》:采集菊池花样进行取向成像。
GB/T 13298-2015《金属显微组织检验方法》:金相显微镜观察板状晶形貌特征。
ASTM E2627-13《X射线衍射残余应力测定》:通过sin²ψ法计算晶格应变。
GB/T 33814-2017《纳米晶体材料表征方法》:结合HRTEM与FFT分析纳米级板状晶。
1. 蔡司Sigma 500场发射扫描电镜:配备EBSD探测器,空间分辨率1nm,最大采集速度3000点/秒。
2. 牛津仪器Symmetry S2 EBSD系统:支持CMOS相机与AZtecCrystal软件平台。
3. 布鲁克D8 ADVANCE X射线衍射仪:配置LYNXEYE XE-T探测器,角度重复性±0.0001°。
4. 日立HF5000透射电镜:点分辨率0.1nm,配备Gatan K3 IS相机。
5. 徕卡DM2700M金相显微镜:最大放大倍数1000×,集成LAS图像分析模块。
6. TESCAN MIRA4 FEG-SEM:搭配EDS/WDS联用系统,束流稳定性≤0.2%/h。
7. 岛津EPMA-8050G电子探针:波长分辨率5eV,元素分析范围Be-Pu。
8. Gatan 656精密离子减薄仪:加速电压1-8kV可控,用于TEM样品制备。
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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