硅多晶检测

检测项目

1.电阻率：测量范围0.001-1000Ωcm，精度3%
2.氧含量：检测限0.1ppm，采用红外吸收法
3.碳含量：分析范围0.05-50ppm，误差≤5%
4.晶体取向：偏差角≤0.5，X射线衍射法测定
5.位错密度：分辨率≥10^3/cm，化学腐蚀法结合显微镜观测

检测范围

1.太阳能级硅多晶(光伏电池原料)
2.半导体级硅多晶(集成电路基材)
3.区熔法高纯硅多晶(功率器件应用)
4.铸造多晶硅锭(铸锭工艺产品)
5.回收再生硅多晶(废料提纯材料)

检测方法

1.ASTMF723：四探针法测定电阻率
2.ISO15379：高温气相色谱法分析氧碳含量
3.GB/T1550：霍尔效应载流子浓度测试
4.GB/T14144：X射线形貌术观测晶体缺陷
5.ISO14707：辉光放电质谱法痕量杂质检测

检测设备

1.四探针测试仪(LucasLabs302B)：电阻率测量
2.X射线衍射仪(PANalyticalX'Pert3MRD)：晶体结构分析
3.FTIR光谱仪(BrukerVertex80v)：氧碳含量测定
4.扫描电镜(HitachiSU5000)：表面形貌与缺陷观测
5.GD-MS系统(ThermoScientificiCAP7400)：痕量元素分析
6.霍尔效应测试系统(LakeShore8404)：载流子参数测定
7.激光粒度仪(MalvernMastersizer3000)：颗粒分布测试
8.高温退火炉(ThermoScientificLindbergBlueM)：热处理实验
9.金相显微镜(OlympusBX53M)：显微组织观察
10.ICP-OES(PerkinElmerAvio500)：金属杂质定量分析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

📝 报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

⏳ 检测周期：7~15工作日，可加急。

🏅 资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

📏 标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

🔬 非标测试：支持定制化试验方案。

📞 售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于硅多晶检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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