低能离子散射检测

检测项目

1. 表面元素组成分析：能量范围0.5-5 keV，探测深度≤3 nm。

2. 薄膜厚度测量：分辨率±0.1 nm，量程0.1-100 nm。

3. 界面扩散深度测定：精度±5%，最大探测深度50 nm。

4. 表面污染层检测：灵敏度≥1×10¹² atoms/cm²。

5. 晶体结构取向分析：角度分辨率±0.1°，入射角范围0°-90°。

检测范围

1. 半导体材料：硅基片、GaN外延层、砷化镓晶圆。

2. 金属及合金：不锈钢钝化膜、钛合金氧化层、铜互连结构。

3. 陶瓷材料：氧化铝涂层、氮化硅基板、压电陶瓷表面。

4. 高分子材料：聚酰亚胺表面改性层、PET镀膜界面。

5. 纳米涂层：DLC涂层成分梯度、TiN硬质镀层厚度。

检测方法

ASTM E1504-22《低能离子散射表面成分标准测试方法》

ISO 18114:2021《表面化学分析-低能离子散射谱法通则》

GB/T 19445-2004《金属覆盖层 低能离子散射谱分析方法》

GB/T 35097-2018《微束分析 低能离子散射谱仪校准规范》

SJ/T 11873-2023《半导体材料表面污染物LEIS测试规程》

检测设备

1. ION-TOF LEIS XT：双束系统配置He⁺/Ne⁺离子源，能量范围0.2-8 keV。

2. Qtegra LEIS模块：集成于Thermo Fisher iCAP RQ质谱仪的表面分析组件。

3. Hiden Analytical EQS1000：配备四极杆质量分析器的高通量系统。

4. Kratos AXIS Supra LEIS附件：兼容XPS联用分析的模块化设计。

5. SPECS IQE200：多探针系统支持原位溅射与LEIS同步测量。

6. Omicron ISE100：超高真空系统(≤5×10^-10 mbar)专用LEIS工作站。

7. RBD Instruments 5000系列：脉冲离子束时间飞行式能量分析仪。

8. ULVAC-PHI Quantes LEIS：配备半球形能量分析器的定量分析系统。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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